IBM desarrolló con éxito un prototipo del dispositivo de memoria dinámica sobre un chip pequeño, denso y veloz en tecnología de silicio sobre aislante (SOI, por su nombre en inglés) de 32 nanómetros, de próxima generación,
IBM fabricó un chip de prueba con una tecnología de memoria de acceso aleatorio dinámica incorporada (eDRAM) que posee la celda de memoria más pequeña de la industria, y ofrece densidad, velocidad y capacidad mejor que la memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) sobre chip convencional anunciada en tecnología de 32nm y 22nm, y comparable con lo que se esperaría de una SRAM producida en tecnología de 15 nanómetros: tres generaciones de tecnología por delante de chips en producción en serie en este momento.
IBM tiene intenciones de llevar los beneficios de su tecnología SOI de 32-nanometros a una amplia gama de clientes de circuitos integrados para aplicaciones específicas (ASIC) y de fundición, y utilizará la tecnología en chips para sus servidores.
“Estamos poniendo esta oferta de 32nm a disposición de los clientes que están dispuestos a beneficiarse del rendimiento significativo y las ventajas energéticas de esta séptima generación de tecnología SOI de IBM", comenta Gary Patton, vicepresidente del Centro de Investigación y Desarrollo de Semiconductores de IBM".
Los ingenieros de IBM prevén describir los atributos de la eDRAM de 32nm y 22nm en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos, en diciembre.
Fuente: IBM. / DiarioTi.com
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